دانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS

روانشناسی و علوم تربیتی,مقاله

دانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد سال انتشار:2012 تعداد صفحه ترجمه:17 تعداد صفحه فایل انگلیسی:5 موضوع انگلیسی :A High Speed Two-Stage Dual-Path Operatioدانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS|32058177|golden|روانشناسی و علوم تربیتی,مقاله
این مطلب در مورد فایل دانلودی با موضوع دانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS می باشد.

دانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS

ترجمه در قالب فایل Word و قابل ویرایش میباشد

سال انتشار:2012

تعداد صفحه ترجمه:17

تعداد صفحه فایل انگلیسی:5



موضوع انگلیسی :A High Speed Two-Stage Dual-Path Operational

Amplifier in 40nm Digital CMOS

موضوع فارسی:دانلود ترجمه مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دو مسیره – دو طبقه ایی پر سرعت در CMOS

چکیده انگلیسی:Abstract—This paper presents a design of a high speed

operational amplifier using 40nm digital CMOS technology. The

proposed two-stage dual-path fully differential topology is based

on the Improved Recycling Folded Cascode (IRFC) topology.

The IRFC first stage provides a moderate DC gain, and the high

efficient dual-path push-pull output stage provides ultra-high

unity-gain frequency bandwidth (UGBW) with relatively low

power consumption. It could find wide application in high

bandwidth high resolution analog-to-digital converters (ADCs).

Under 1.1V supply voltage, the simulation results show that the

proposed operational amplifier topology could achieve 56.3dB

DC gain, 3GHz UGBW, 24.8μV RMS noise integrated from DC

to 50MHz and 2.9ns settling time with 1V peak-to-peak

differential input signal.

چکیده فارسی:



این مقاله طراحی یک تقویت کننده عملیاتی پر سرعت را با استفاده از تکنولوژی CMOS دیجیتال 40 نانو متری ارائه می کند . توپولوژی کاملا متفاوت دو جهته – دو طبقه ایی پیشنهادی در این مقاله براساس تکنولوژی کاسکد تاب خورده بازیابی تقویت شده (IRFC ) پیشنهاد شده است . طبقه اول IRFC ، بهره DC خفیفی را تامین می کند و طبقه خروجی PULL – PUSH دو مسیره با کارایی فوق العاده نیز پهنای باند بهره فرکانسی واحد و فوق العاده بالایی را با توان مصرفی نسبتا کم تامین می کند .



برای این مدار می توان کاربردهای وسیعی را در مدارات مبدل آناوگ به دیجیتال (ADC ) با پهنای باند فوق العاده بالا یافت . در منبع تغذیه ولتاژی 1.1 V نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان دادند که توپولوژی تقویت کنده عملیاتی پیشنهادی توانایی دستیابی به 56.3DB بهره DC ، و نویز مجتمع سازی شده از DC به 50MHZ و زمان ته نشینی 2.9 ثانیه با سیگنال ورودی تفاضلی پیک به پیک 1 ولت را دارد .